附件C：譯文

雙晶體管電荷分離分析的理論與應(yīng)用

摘要

為了評估MOS晶體管的輻射響應(yīng)，我們這里描述一個雙晶體管電荷分離方法。這種方法需要相同加工氧化物的n-和p-通道晶體管被輻射在相同的氧化物電場中。結(jié)合"單晶體管" midgap法和流動性方法的特點(diǎn)，我們知道一個可確定的閾值電壓變化決定于氧化物被困與界面被困標(biāo)準(zhǔn)來自于閾值電壓和流動測量。這些測量能多做2-5命令比使用midgap法 ，亞閾值斜率， 和電荷抽水方法。雙晶體管法中沒有可調(diào)參數(shù)，并包含一個內(nèi)部自我一致性檢查。比較MOS工藝和技術(shù)的midgap法 ，亞閾值斜率，和收取抽水方法精確的方法被驗證了。雙晶體管的測量和分析，不僅提供了有用的檢查單晶體管的分析方法，也提供了許多應(yīng)用中電荷分離方法的方法。包括測試1 ）裝置在生產(chǎn)環(huán)境; 2 ）設(shè)備與寄生蟲場氧化層泄漏; 3 ） SOS和so1技術(shù)與后勤閘或側(cè)墻滲漏，4 ） MOS晶體管在極高的溫度下。

導(dǎo)言

一些通行的做法分離MOS晶體管輻射誘導(dǎo)的閾值電壓變化成部件決定于氧化陷阱與界面陷阱電荷，⊿Vot 和⊿Vit。midgap [ 1,2 ] ，亞閾值斜率[ 3-5] ，和收取抽水方法[ 5-7]依靠低電流測量。因此，這些方法可能難以適用于大型寄生泄漏的設(shè)備。同時，在高速度下精確的低電流測量是難以執(zhí)行。在快速測量需要的短暫的脈沖輻射情況下這些方式都難以使用[8]?；谏蠈?shí)驗關(guān)系界面被困電荷構(gòu)成和流動性退化的電荷分離方法[ 9-121不依靠低電流測量，和不面對這些限制。不幸的是， 如果沒有一個獨(dú)立的界面捕獲或氧化物陷阱電荷稠密的決定，流動性方法不能被用于單個晶體管毫不含糊確定⊿Vot和⊿Vit。
在這篇文章中我們描述一個最近研制的雙晶體管電荷分離分析技術(shù) [13]。該方法應(yīng)用于n-通道和批p-通道晶體管就同一芯片，相同的條件的照射下。midgap和流動性的方法相結(jié)合估計⊿Vot和⊿Vit的特點(diǎn)是無可調(diào)參數(shù)。這些估計是由標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓和移動性量度，在同時2-5命令規(guī)模以上為典型的亞閾值電流或電荷抽水分析得出。雙晶體管估計⊿Vot和⊿Vit 與midgap ， 亞閾值斜率，和收取抽水方法所有的情況下十分吻合，所有的情況下后者的方法可成功地應(yīng)用。雙晶體管電荷分離方法的優(yōu)點(diǎn)和局限性被討論。