功率MOSFET雪崩擊穿問題故障分析
近年來作了多次關(guān)于功率半導(dǎo)體器件發(fā)展趨勢的報(bào)告，許多朋友都希望我講得更詳細(xì)些，或更能符合應(yīng)用工作者的口味，因而撰寫一篇現(xiàn)代功率半導(dǎo)體器件淺說的想法由來已久。只是由于設(shè)想太大，久久未能動筆?，F(xiàn)在從功率MOSFET寫起，作為現(xiàn)代功率半導(dǎo)體器件淺說之一，以后再接著寫之二、之三，這樣就免于擱淺。本文是一種嘗試，希望能使讀者對現(xiàn)代功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展有較深入的理解，能更主動地以新一代的器件去改進(jìn)自己的電路。既是一篇淺說，就需要把基本原理講得盡可能淺顯些。使大家像讀故事書那樣把技術(shù)弄清楚。有的解釋或許不夠嚴(yán)格。如果我忽略了一些主要的東西，希望讀者能協(xié)助我予以改正。
　　由于世界市場的激烈競爭，各功率半導(dǎo)體器件制造商正投入大量資金發(fā)展新的設(shè)計(jì)、改進(jìn)新的工藝、開發(fā)新的產(chǎn)品。好些產(chǎn)品甚至每個(gè)季度都有新的發(fā)展，品種的更新?lián)Q代幾乎到了使人眼花繚亂的程度。因此詳細(xì)介紹器件發(fā)展的新趨勢，就顯得更為必要了。