水溶性量子點cdte的制備及表征.doc
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水溶性量子點cdte的制備及表征,水溶性量子點cdte的制備及表征 preparation and characterization of water-soluble cdte quantum dots 1.48萬字33頁原創(chuàng)作品，已通過查重系統(tǒng)摘要：目的采用水相制備法制備水溶性量子點cdte，對其制備工藝進(jìn)行優(yōu)化，并進(jìn)行表征。方法以碲粉、氯化鎘和巰基...
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水溶性量子點CdTe的制備及表征
Preparation and characterization of water-soluble CdTe quantum dots
1.48萬字 33頁 原創(chuàng)作品，已通過查重系統(tǒng)
摘 要：目的 采用水相制備法制備水溶性量子點CdTe，對其制備工藝進(jìn)行優(yōu)化，并進(jìn)行表征。方法 以碲粉、氯化鎘和巰基丙酸為原料，采用水相制備法制備水溶性CdTe量子點，系統(tǒng)地研究了鎘碲比、MPA的量、pH值、回流時間、反應(yīng)溫度等反應(yīng)條件對CdTe量子點生長速率和熒光強(qiáng)度的影響；采用透射電鏡、紅外光譜、X射線衍射等多種表征技術(shù)對制備的CdTe量子點進(jìn)行表征評價。結(jié)果 通過適當(dāng)減少M(fèi)PA的量，增大反應(yīng)物中碲的量降低鎘碲比及控制反應(yīng)溶液的pH為弱堿性，同時提高反應(yīng)溫度可以用來制備光學(xué)性質(zhì)優(yōu)異的CdTe量子點。MPA對量子點表面修飾后，CdTe量子點熒光強(qiáng)度高，穩(wěn)定性好。結(jié)論 摩爾比Cd2+: HTe－: MPA=1:0.5:2.4，pH值為9，96℃下，回流時間為1 h的條件下制備的CdTe量子點熒光強(qiáng)度最強(qiáng)，熒光量子生長速率最快。表征結(jié)果表明制備的CdTe量子點形態(tài)呈均一規(guī)則的球形，平均粒徑為6 nm左右。
關(guān)鍵詞：量子點CdTe；水相制備法；表征；熒光強(qiáng)度
Preparation and characterization of water-soluble CdTe quantum dots
1.48萬字 33頁 原創(chuàng)作品，已通過查重系統(tǒng)
摘 要：目的 采用水相制備法制備水溶性量子點CdTe，對其制備工藝進(jìn)行優(yōu)化，并進(jìn)行表征。方法 以碲粉、氯化鎘和巰基丙酸為原料，采用水相制備法制備水溶性CdTe量子點，系統(tǒng)地研究了鎘碲比、MPA的量、pH值、回流時間、反應(yīng)溫度等反應(yīng)條件對CdTe量子點生長速率和熒光強(qiáng)度的影響；采用透射電鏡、紅外光譜、X射線衍射等多種表征技術(shù)對制備的CdTe量子點進(jìn)行表征評價。結(jié)果 通過適當(dāng)減少M(fèi)PA的量，增大反應(yīng)物中碲的量降低鎘碲比及控制反應(yīng)溶液的pH為弱堿性，同時提高反應(yīng)溫度可以用來制備光學(xué)性質(zhì)優(yōu)異的CdTe量子點。MPA對量子點表面修飾后，CdTe量子點熒光強(qiáng)度高，穩(wěn)定性好。結(jié)論 摩爾比Cd2+: HTe－: MPA=1:0.5:2.4，pH值為9，96℃下，回流時間為1 h的條件下制備的CdTe量子點熒光強(qiáng)度最強(qiáng)，熒光量子生長速率最快。表征結(jié)果表明制備的CdTe量子點形態(tài)呈均一規(guī)則的球形，平均粒徑為6 nm左右。
關(guān)鍵詞：量子點CdTe；水相制備法；表征；熒光強(qiáng)度
