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一種低壓低溫度系數的帶隙基準電路.doc

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一種低壓低溫度系數的帶隙基準電路,全文5頁約2300字 論述翔實 圖文并茂摘要:本文介紹了一種工作在3.3v電壓下,適合于標準bicmos工藝的帶隙基準電路。傳統(tǒng)的帶隙基準電路是利用三極管的短接電壓vbe與熱電壓vt和kt/q乘積的和產生的。因此,vref大約為1.25v,這就限制了低于1v的帶隙輸出電壓。本文介紹的帶隙...
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分類: 論文>通信/電子論文

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一種低壓低溫度系數的帶隙基準電路

全文5頁約2300字 論述翔實 圖文并茂

摘要:本文介紹了一種工作在3.3V電壓下,適合于標準BiCMOS工藝的帶隙基準電路。傳統(tǒng)的帶隙基準電路是利用三極管的短接電壓VBE與熱電壓VT和kT/q乘積的和產生的。因此,VREF大約為1.25V,這就限制了低于1V的帶隙輸出電壓。本文介紹的帶隙基準電路輸出電壓大約為695mV,并且可以很方便的減小或者增大輸出電壓。電路的輸出電壓在190°C的溫度范圍內的變化值只有1.5mV,它的溫度系數大約只有8ppm/°C。

關鍵字:帶隙基準,低壓,低溫度系數

A Low Voltage Low Temperature Coefficient Bandgap Reference
Zhang Fengjiang 1 , 2 ,Zhang Hong1 , 2 ,Zhang Zhengfan 3
(1. Chongqing University of Posts and Telecommunications, Chongqing 400065; 2. National Laboratory of Analog IC, Chongqing 400060; 3. Sichuan Institute of Solid-State Circuits, Chongqing 400060; )
Abstract: A CMOS bandgap reference(BGR) circuit which can successfully operate with 3.3V supply and is compatible with a standard BiCMOS process is described in this paper. In the conventional BGR circuit, the output voltage VREF is the sum of the built-in voltage of the diode VBE and the thermal voltage VT of kT/q multiplied by a constant. Therefore, VREF is about1.25 V, which limits a low supply-voltage operation below 1 V. The reference voltage is about 695 mV and it can simply be adjusted to higher reference voltages. And the circuit demonstrates a variation of 1.5mV over 190°C and has a temperature coefficient of 8ppm/°C.
Keywords: bandgap reference(BGR) ,low voltage , low temperature coefficient
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