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基于ide接口的電子硬盤設(shè)計,基于ide接口的電子硬盤設(shè)計2.3萬字36頁附有完整原理圖，開題報告，任務(wù)書，文獻綜述，翻譯資料目錄第一章 緒論1第二章 閃速存儲器簡介22.1 閃速存儲器的產(chǎn)生和發(fā)展22.2閃速存儲器的主要技術(shù)類型22.3閃速存儲器的結(jié)構(gòu)和功能特點52.4 閃速存儲器的工作模式72.5 閃速存儲器在大容量存儲器領(lǐng)域的應(yīng)用7第三章 設(shè)...
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基于IDE接口的電子硬盤設(shè)計
2.3萬字 36頁
附有完整原理圖，開題報告，任務(wù)書，文獻綜述，翻譯資料
目錄
第一章 緒論 1
第二章 閃速存儲器簡介 2
2.1 閃速存儲器的產(chǎn)生和發(fā)展 2
2.2閃速存儲器的主要技術(shù)類型 2
2.3閃速存儲器的結(jié)構(gòu)和功能特點 5
2.4 閃速存儲器的工作模式 7
2.5 閃速存儲器在大容量存儲器領(lǐng)域的應(yīng)用 7
第三章 設(shè)計方案收集和選擇 9
3.1 設(shè)計思路 9
3.2 方案1簡介 9
3.2 方案2簡介 13
2.3 方案比較和最終選擇 15
第四章 設(shè)計步驟 17
4.1 繪制設(shè)計原理圖 17
4.1.1 Orcad軟件簡介 17
4.1.2 在Orcad中制作芯片封裝 17
4.1.3 放置元件及連線 20
4.1.4 原理圖CRC校驗及檢錯 21
4.1.5 創(chuàng)建網(wǎng)表 23
4.2 繪制PCB板圖 23
4.2.1 PowerPCB軟件簡介 23
4.2.2在PowerPCB中制作芯片封裝 24
4.2.3 導(dǎo)入原理圖網(wǎng)表 27
4.2.4 手動布線 27
4.2.5 覆銅 29
第五章 作品調(diào)試及結(jié)論 31
5.1 調(diào)試步驟 31
5.2 結(jié)論 32
5.3 對設(shè)計結(jié)果的分析和對作品改進方面的考慮 32
謝辭 33
參考文獻 34
附錄 35
中文摘要
本次設(shè)計的電子硬盤，由44pin 標(biāo)準(zhǔn)IDE接口、供電電路、硬盤控制器和Flash Memory芯片構(gòu)成。
44pin 標(biāo)準(zhǔn)IDE接口完全符合最新的ATA133標(biāo)準(zhǔn)，可以與現(xiàn)在主流的筆記本電腦主板完全兼容，也可以通過簡單的轉(zhuǎn)接口與常用PC機主板兼容。
供電電路采用的AME公司生產(chǎn)的AME8800，它具有低壓降、誤差在1.5%以內(nèi)的300MA穩(wěn)定輸出和自動過溫保護和過流保護功能。
硬盤控制器使用的是SST公司生產(chǎn)的SST55LD019A，它具有低功耗（工作電壓3.3v-5v）、主機讀取速度快（最快可達10M/s）、穩(wěn)定性好（可在-40°C-85°C的工業(yè)環(huán)境下穩(wěn)定運行）、兼容性好（支持PIO Mode-4、Multi-word DMA Mode-2兩種最新的傳輸模式，兼容標(biāo)準(zhǔn)NAND型Flash Memory）等優(yōu)點。
Flash Memory芯片采用的是2片三星公司生產(chǎn)的K9F5608U0B，該芯片為NAND型Flash Memory，單片容量為32M*8bit。
本次設(shè)計采用Orcad 9.2進行原理圖繪制，并使用PowerPCB 5.1進行PCB布板和覆銅，計劃使用雙層板，所有元件均采用貼片類型。
關(guān)鍵詞：閃速存儲器，44pin 標(biāo)準(zhǔn)IDE接口，硬盤控制器，供電電路
An Electronic Hard Disk Based On IDE Interface
Abstract
Flash Memory is a kind of Non-Volatile Memory. Compared with EPROM，F(xiàn)lash Memory has superiorities such as capabilities of electronic erasing & reprogramming, low cost, high density, therefore, although Flash Memory has only been in the world memory market for a few years, it has begun to replace DRAM, SRAM & EPROM, become the mainstream of memory medium.
Flash Memory can be used to make up of solid memorizer big volume. Compared to the common hard disk, this memorizer has less volume, lighter weight, lower consumption, higher reliability & durableness and stronger capability of anti- concussion. So, as the integration improves & the price falls, it’s possible that solid disk made of Flash Memory replaces the small volume common hard disk in the portable computer. The Flash Memory excogitated recently is accordant with PCMCIA standard, which makes this memorizer take up of the common hard disk in every kind of portable computers very easily. The electronic hard disk......
參考文獻
[6]Roberto Bez, Agostino Pirovano. Non-volatile memory technologies: Emerging concepts and New Materials Science in Semiconductor Processing. Microelectronic Engineering
[7]張嘵蕾. 計算機硬件技術(shù)基礎(chǔ). 北京：人民郵電出版社
[8]何橋. 計算機硬件技術(shù)基礎(chǔ). 北京：電子工業(yè)出版
2.3萬字 36頁
附有完整原理圖，開題報告，任務(wù)書，文獻綜述，翻譯資料
目錄
第一章 緒論 1
第二章 閃速存儲器簡介 2
2.1 閃速存儲器的產(chǎn)生和發(fā)展 2
2.2閃速存儲器的主要技術(shù)類型 2
2.3閃速存儲器的結(jié)構(gòu)和功能特點 5
2.4 閃速存儲器的工作模式 7
2.5 閃速存儲器在大容量存儲器領(lǐng)域的應(yīng)用 7
第三章 設(shè)計方案收集和選擇 9
3.1 設(shè)計思路 9
3.2 方案1簡介 9
3.2 方案2簡介 13
2.3 方案比較和最終選擇 15
第四章 設(shè)計步驟 17
4.1 繪制設(shè)計原理圖 17
4.1.1 Orcad軟件簡介 17
4.1.2 在Orcad中制作芯片封裝 17
4.1.3 放置元件及連線 20
4.1.4 原理圖CRC校驗及檢錯 21
4.1.5 創(chuàng)建網(wǎng)表 23
4.2 繪制PCB板圖 23
4.2.1 PowerPCB軟件簡介 23
4.2.2在PowerPCB中制作芯片封裝 24
4.2.3 導(dǎo)入原理圖網(wǎng)表 27
4.2.4 手動布線 27
4.2.5 覆銅 29
第五章 作品調(diào)試及結(jié)論 31
5.1 調(diào)試步驟 31
5.2 結(jié)論 32
5.3 對設(shè)計結(jié)果的分析和對作品改進方面的考慮 32
謝辭 33
參考文獻 34
附錄 35
中文摘要
本次設(shè)計的電子硬盤，由44pin 標(biāo)準(zhǔn)IDE接口、供電電路、硬盤控制器和Flash Memory芯片構(gòu)成。
44pin 標(biāo)準(zhǔn)IDE接口完全符合最新的ATA133標(biāo)準(zhǔn)，可以與現(xiàn)在主流的筆記本電腦主板完全兼容，也可以通過簡單的轉(zhuǎn)接口與常用PC機主板兼容。
供電電路采用的AME公司生產(chǎn)的AME8800，它具有低壓降、誤差在1.5%以內(nèi)的300MA穩(wěn)定輸出和自動過溫保護和過流保護功能。
硬盤控制器使用的是SST公司生產(chǎn)的SST55LD019A，它具有低功耗（工作電壓3.3v-5v）、主機讀取速度快（最快可達10M/s）、穩(wěn)定性好（可在-40°C-85°C的工業(yè)環(huán)境下穩(wěn)定運行）、兼容性好（支持PIO Mode-4、Multi-word DMA Mode-2兩種最新的傳輸模式，兼容標(biāo)準(zhǔn)NAND型Flash Memory）等優(yōu)點。
Flash Memory芯片采用的是2片三星公司生產(chǎn)的K9F5608U0B，該芯片為NAND型Flash Memory，單片容量為32M*8bit。
本次設(shè)計采用Orcad 9.2進行原理圖繪制，并使用PowerPCB 5.1進行PCB布板和覆銅，計劃使用雙層板，所有元件均采用貼片類型。
關(guān)鍵詞：閃速存儲器，44pin 標(biāo)準(zhǔn)IDE接口，硬盤控制器，供電電路
An Electronic Hard Disk Based On IDE Interface
Abstract
Flash Memory is a kind of Non-Volatile Memory. Compared with EPROM，F(xiàn)lash Memory has superiorities such as capabilities of electronic erasing & reprogramming, low cost, high density, therefore, although Flash Memory has only been in the world memory market for a few years, it has begun to replace DRAM, SRAM & EPROM, become the mainstream of memory medium.
Flash Memory can be used to make up of solid memorizer big volume. Compared to the common hard disk, this memorizer has less volume, lighter weight, lower consumption, higher reliability & durableness and stronger capability of anti- concussion. So, as the integration improves & the price falls, it’s possible that solid disk made of Flash Memory replaces the small volume common hard disk in the portable computer. The Flash Memory excogitated recently is accordant with PCMCIA standard, which makes this memorizer take up of the common hard disk in every kind of portable computers very easily. The electronic hard disk......
參考文獻
[6]Roberto Bez, Agostino Pirovano. Non-volatile memory technologies: Emerging concepts and New Materials Science in Semiconductor Processing. Microelectronic Engineering
[7]張嘵蕾. 計算機硬件技術(shù)基礎(chǔ). 北京：人民郵電出版社
[8]何橋. 計算機硬件技術(shù)基礎(chǔ). 北京：電子工業(yè)出版
