橢圓形夾雜對(duì)超導(dǎo)體內(nèi)臨界電流密度的影響


1.18萬字 31頁 原創(chuàng)作品，通過查重系統(tǒng)


I.
摘 要
提出了一套研究高溫超導(dǎo)體裂紋尖端臨界電流奇異性以及俘獲磁場減小這一問題的理論方法。首先針對(duì)比較常見的含中心橢圓孔洞的長圓柱形超導(dǎo)體，通過復(fù)變函數(shù)和保角變換的方法將問題簡化為一個(gè)軸對(duì)稱問題?；谂R界態(tài)Bean 模型討論了臨界電流集中性隨橢圓孔洞形狀因子的變化關(guān)系，并得到了線型裂紋尖端的臨界電流奇異性。其中Bean 模型的結(jié)果僅由裂紋尺寸a 以及臨界電流密度 決定，因而 具有一定普適性。


關(guān)鍵詞：第二類超導(dǎo)體，Bean模型，電流密度強(qiáng)度因子，電流奇異性