nea gan光電陰極的光譜響應.doc
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nea gan光電陰極的光譜響應,nea gan光電陰極的光譜響應1.19萬字28頁 原創(chuàng)作品，通過查重系統(tǒng) 畢業(yè)設計說明書中文摘要gan是一種新型半導體材料，在紫外光電陰極領域有著廣泛的應用前景。本文通過介紹spice提出的光電發(fā)射三部模型，詳細介紹了光電發(fā)射從內部光電子激發(fā)、光電子從內部傳輸?shù)奖砻?、穿過表面勢壘逸出的過程。以及介紹了負電子親和勢的原...
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NEA GaN光電陰極的光譜響應
1.19萬字 28頁 原創(chuàng)作品，通過查重系統(tǒng)
畢業(yè)設計說明書中文摘要
GaN是一種新型半導體材料，在紫外光電陰極領域有著廣泛的應用前景。
本文通過介紹Spice提出的光電發(fā)射三部模型，詳細介紹了光電發(fā)射從內部光電子激發(fā)、光電子從內部傳輸?shù)奖砻妗⒋┻^表面勢壘逸出的過程。以及介紹了負電子親和勢的原理，說明了NEA特性對光電陰極領域的重要作用。
本文還介紹了GaN材料的晶體結構和能級結構，說明了電子從GaN光電陰極發(fā)射到真空的過程和機理。
通過測試Cs/O激活后獲得負表面勢后的光譜響應，比較了NEAGaN光電陰極相比起傳統(tǒng)光電陰極的優(yōu)勢，提出了改進GaN光譜響應的方向。
關鍵詞：NEA GaN 光電陰極 光譜響應
1.19萬字 28頁 原創(chuàng)作品，通過查重系統(tǒng)
畢業(yè)設計說明書中文摘要
GaN是一種新型半導體材料，在紫外光電陰極領域有著廣泛的應用前景。
本文通過介紹Spice提出的光電發(fā)射三部模型，詳細介紹了光電發(fā)射從內部光電子激發(fā)、光電子從內部傳輸?shù)奖砻妗⒋┻^表面勢壘逸出的過程。以及介紹了負電子親和勢的原理，說明了NEA特性對光電陰極領域的重要作用。
本文還介紹了GaN材料的晶體結構和能級結構，說明了電子從GaN光電陰極發(fā)射到真空的過程和機理。
通過測試Cs/O激活后獲得負表面勢后的光譜響應，比較了NEAGaN光電陰極相比起傳統(tǒng)光電陰極的優(yōu)勢，提出了改進GaN光譜響應的方向。
關鍵詞：NEA GaN 光電陰極 光譜響應
